離子源弧光室是離子注入設(shè)備的一部分，主要作用是將充入弧光室的惰性氣體經(jīng)輝光放電電離成等離子體，經(jīng)離子光學(xué)系統(tǒng)引出帶正電的離子束，再經(jīng)過(guò)下游端的中和陰極向離子束發(fā)射與束電流等量的電子流進(jìn)行電荷中和，最終生成高能高速的中性離子束。離子源弧光室其應(yīng)用領(lǐng)域包括：

半導(dǎo)體：可用于注入半導(dǎo)體器件的單元溝道離子，以生產(chǎn)晶體傳感器。

材料科學(xué)：可用于材料表面改性，如清洗、氮化和鍍膜等。

高能物理：可用于離子加速器，以轟擊靶材并產(chǎn)生新物質(zhì)或揭示新的物理規(guī)律。

在半導(dǎo)體行業(yè)中，離子源弧光室主要用于離子注入工藝。

離子注入是一種重要的半導(dǎo)體摻雜技術(shù)，它可以將特定的雜質(zhì)離子引入半導(dǎo)體材料中，從而改變半導(dǎo)體的電學(xué)性能。在離子注入過(guò)程中，離子源弧光室產(chǎn)生的離子束會(huì)被加速到很高的速度，并注入到半導(dǎo)體晶片中。

通過(guò)控制離子束的劑量，可以精確地控制雜質(zhì)離子在半導(dǎo)體中的分布和濃度，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體器件性能的調(diào)控。例如，在制造晶體管時(shí)，可以通過(guò)離子注入來(lái)形成 p-n 結(jié)，從而控制晶體管的導(dǎo)通和截止。