從20世紀60年代開始，人們將一定量的硼、磷或其他元素的離子注入到半導體材料中，形成摻雜。摻雜的濃度可通過積分離子流強度來控制。離子注入方法的重復(fù)性、可靠性比擴散法好。離子注入摻雜在半導體大規(guī)模集成電路的生產(chǎn)中已成為重要環(huán)節(jié)，用離子注入法取代舊的擴散等工藝在有些器件中已成為必然趨勢。

離子注入在金屬材料的改性中獲得的結(jié)果十分引人注目。在常用金屬的離子注入改性中，可以提高金屬的硬度、抗腐蝕性能和抗耐久強度，降低金屬的磨損率。某些絕緣材料如陶器、玻璃、材料經(jīng)離子束照射以后，性質(zhì)發(fā)生重要的變化，獲得新的用途。

離子源配件：離子源弧光室、離子源燈絲、坩堝

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